離子束修剪和離子束計算:下一代應用的精確表面修改
離子束修剪和離子束處理是光學、微電子和納米技術等領域用于精密表面修改和校正的先進高真空技術。
與傳統的機械拋光方法不同的是,IBT工藝和IBT工藝都不需要物理接觸。正電荷離子的聚焦寬束,例如，氦,穿過襯底表面。離子與襯底原子的碰撞啟動了"碰撞級聯",導致單個粒子從表面分離。去除量受處理時間的控制。離子束在一個位置停留的時間越長,去除的材料就越多。由于這兩種形式都是物理過程,可以加工各種材料。
離子束貼圖是光基板拋光誤差修正的一種特殊形式。它也常被稱為：離子束拋光，或 離子束整理 ,因為它通常是一系列處理步驟中的最后一步。
離子束修剪和離子束的優點:
高精度 :加工具有極高的表面精度和單納米圖形校正。
非接觸進程 :因此,離子束修剪不會給周圍地區帶來機械應力或損害,從而提高設備的可靠性。
高選擇性 通過添加活性氣體(活性離子束修剪),使之成為復雜器件結構的理想選擇。
離子束修剪和離子束涂裝設備
1、Scia Trim200
大批量生產系統,用于對不超過200毫米的晶圓進行薄膜厚度校正
離子束修剪
離子束圖
精確的表面校正：
… 200號飾帶 用于高精度的晶圓表面修剪,不受薄膜和晶圓材料的限制。該系統為大容量生產設計有一個吞吐量和維護優化布局的半導體磁帶處理機器人,可容納所有標準尺寸的晶圓。此外,一個集群配置有兩個處理室和兩個磁帶負載鎖是可用的。
特點和益處：
產量顯著提高
薄膜厚度均勻性要調整到0.1納米原子級
無邊緣與靜電卡盤排斥
零基蝕刻功能的亞納米去除
無限制地加工薄膜和晶圓材料
低生產成本的產量和維護優化設計
由于晶圓冷卻良好,用光刻膠面罩加工晶圓
應用程序：
結果IBT
結果(左前、右后)鋁氧化物在200mm晶圓上的離子束切割。標準偏差:前:9.4納米,柱:0.4納米;改進系數:23.5納米;平均厚度:前:383.3納米,柱:360納米;目標:360納米
體聲波濾波器或表面聲波濾波器的頻率削減
絕緣體(SOI)、石英、鈦酸鋰(LT)或氮化鋰晶圓片上硅的厚度削減
薄膜表面厚度誤差或一步高度校正(TFH)制造
MEMS結構的尺寸校正
X光鏡格式錯誤校正
申請表：
保真濾波器 作為移動通信中的高頻濾波器
鋸片機 在移動通訊中抑制頻率
POI晶圓的厚度調整 用于射頻濾波器(鋸片)
紙張厚度修正讀寫頭 就硬盤而言
X射線鏡表面誤差校正
原則：
在低污染的垂直設置中,專注于寬離子束掃描晶圓表面
通過調整停留時間控制局部材料的清除
技術：
離子束修剪 是通過調整停留時間來控制通過晶圓和局部材料去除的聚焦寬離子束掃描的地方。
反應離子束修剪 將活性氣體引入離子束源,用于表面的活性結構。
離子束計算 是一個拋光錯誤修正掃描離子束和停留時間控制。
底板尺寸(最大) | 200毫米口徑。,所有標準晶圓尺寸均可 |
基座 | 水冷、氦背面冷卻接觸、無邊緣排除的靜電夾緊 |
AXX表現 | 麥克斯。最大速度0.5米/秒。加速度15米/ |
離子束源 | 37mm循環射頻源(rf37i),8。..15毫米(FWM)或 |
中和器 | 熱燈絲中和器或射頻等離子橋中和器 |
產量 | 15個晶圓/小時(150mm晶圓上50納米硅) |
堿壓 | < 1 x 10 -6 馬巴 |
系統尺寸(WxDxH) | 帶磁帶處理的單室(沒有電架和泵) |
反對者 菲 蓋朗斯 | 單室,帶單襯底負載鎖定或磁帶處理,集群系統,包括2個工藝室和磁帶處理 |
軟件接口 | SECS II / GEM, OPC |
典型清除率 | 高級官員 2 : 6 x 10 -3 毫米 3 /s (RF37-i), 11 x 10 -3 毫米 3 /s (RF80-i) |
剪裁后的電影變化 | 半納米RMS(取決于輸入質量) |
2、Scia Trim300
在300毫米以下的晶圓片上精確的均勻薄膜表面校正
離子束修剪
離子束圖
咨詢電話：13522079385
離子束修剪精確校正表面
… 右邊300 是一個高產量的生產系統?離子束修剪 不受材料限制的300毫米晶圓。該襯底的精確局部表面校正是由具有足夠小焦點的聚焦寬離子束進行的。控制局部材料去除導致不均勻性蝕刻到一個令人印象深刻的均勻膜,從而顯著增加可用組件的產出。
特點和益處：
產量顯著提高
薄膜厚度均勻性要調整到0.1納米原子級
無邊緣與靜電卡盤排斥
零基蝕刻功能的亞納米去除
無限制地加工薄膜和晶圓材料
低生產成本的產量和維護優化設計
由于晶圓冷卻良好,用光刻膠面罩加工晶圓
應用程序：
結果IBT
離子束修剪結果(左、右) 2 在300毫米的晶圓片上。
標準差:前:1.3納米,柱:0.3納米;改進系數:4.3;平均厚度:前:107.7納米,柱:955.1納米;去除:55.6納米
體聲波濾波器或表面聲波濾波器的頻率削減
絕緣體(SOI)上硅的厚度調整,
MEMS結構的尺寸校正
申請表：
保真濾波器 作為移動通信中的高頻濾波器
鋸片機 在移動通訊中抑制頻率
原則：
在低污染的垂直設置中,專注于寬離子束掃描晶圓表面
通過調整停留時間控制局部材料的清除
技術：
離子束修剪 是通過調整停留時間來控制通過晶圓和局部材料去除的聚焦寬離子束掃描的地方。
反應離子束修剪 將活性氣體引入離子束源,用于表面的活性結構。
離子束計算 是一個拋光錯誤修正掃描離子束和停留時間控制。
底板尺寸(最大) | 300毫米口徑。,所有標準晶圓尺寸均可 |
基座 | 水冷、氦背面冷卻接觸、無邊緣排除的靜電夾緊 |
AXX表現 | 麥克斯。最大速度0.25米/秒。加速度15米/ |
離子束源 | 37mm循環射頻源(rf37i),8。..15毫米(FWM)或 |
中和器 | 熱絲中和器(N-Fil) |
產量 | 6晶圓/小時(300mm晶圓上50納米硅) |
堿壓 | < 1 x 10 -6 馬巴 |
系統尺寸(WxDxH) | 3.20米x2.90米x2.20米,單腔,在270度安排下(沒有電架和泵) |
配置 | 帶磁帶處理或集群系統的單室,有兩個加工室和磁帶處理 |
軟件接口 | SECS II / GEM, OPC |
典型清除率 | 高級官員 2 : 6 x 10 -3 毫米 3 /s (RF37-i), 17 x 10 -3 毫米 3 /s (RF80-i) |
剪裁后的電影變化 | 半納米RMS(取決于輸入質量) |
3、Scia Trim1500
高精度光學元件拋光誤差修正高達1500mm。
離子束圖
鏡頭和鏡子的拋光錯誤糾正：
… 完成1500 用于高精度光學元件的表面形狀誤差校正。該系統適用于高產量生產,由于快速抽抽時間和離子束源的高去除率,24/7運行。
特點和益處：
光學元件可重復質量的長期穩定過程
在大面積上非常精確
高吞吐量的高清除率
滑動門可方便地裝載大型基板
設計用于高產量生產,短泵降落時間
應用程序：
結果(左前、右后)模擬了1,500mm以上鏡離子束圖形。標準偏差:前:256納米,柱:1.9納米;范圍:前:1550納米,柱:85納米
透鏡和鏡子的最終表面形式錯誤校正
望遠鏡鏡(零杜爾、西東、圖騰)
常規光學(石英和其他玻璃)
X射線光學離子束圖形
申請書：
格式錯誤更正 用于X光鏡
原則：
針對低污染背景下垂直設置的寬離子束掃描
去除不同數量物質的時間控制
技術：
離子束計算 是一個拋光錯誤修正掃描離子束和停留時間控制。
底板尺寸(最大) | 1500毫米口徑。,400公斤 |
軸性能 | 麥克斯。最大速度為每秒0.15%米。加速度15米/ |
離子束源 | 37mm循環射頻源(rf37i),8。..15毫米(FWM)或 |
中和器 | 射頻等離子體橋中和劑 |
堿壓 | < 1 x 10 -6 馬巴 |
系統尺寸 | 3.60米x7.70米x3.40米 |
配置 | 單室滑動門,手動裝載運輸車,3或4軸控制系統 |
軟件接口 | SECS II / GEM, OPC |
典型清除率 | 高級官員 2 : 14 mm 3 /h (RF37-i), 96 mm 3 /h (RF120-i) |
厚度變化 | 半納米RMS(取決于輸入質量) |
