離子束蝕刻:復雜表面結構的精確處理
離子束蝕刻法是一種高精度的表面加工方法,也被稱為離子束磨法。帶正電荷的離子束(通常是氦離子)被加速到襯底上。因此,離子將其動能轉移到表面原子,導致它們被噴出,從而去除材料。為了達到均勻而準確的蝕刻效果,在該過程中基材被旋轉,而離子束的直徑比基材大。
離子束蝕刻的優點:
高精度-通過蝕刻在一個定義的入射角和可調離子能,甚至復雜的結構可以創造高精度。
低襯底溫度,最大限度地減少熱引起的變形或對材料的損害。
高通用性:離子束蝕刻適合廣泛的材料,包括金屬,半導體,聚合物和陶瓷。
表面清潔:氧化物層或其他污染物可以從表面清除。
離子束蝕刻的特殊形式是 反應離子束蝕刻 (里貝)和 化學輔助離子束蝕刻 (Caibe),除惰性氣體外,還使用活性氣體,例如。,增加選擇性,影響溝槽角或提高蝕刻速率。
1、Scia Moll150
小型生產系統和150mm底材的研發應用
離子束蝕刻
反應離子束蝕刻
化學輔助離子束蝕刻
特點和益處：
可傾斜和可旋轉襯底架的蝕刻角調整
無塑造器的優良均勻性
活性氣體的選擇性和速率提高
采用精確的西姆斯或光學端點檢測進行工藝控制
適應可變基板尺寸的載體概念
由于晶圓冷卻良好,用光刻膠面罩加工晶圓
應用程序：
由迪亞斯紅外有限公司提供的蝕刻邊緣掃描圖像。
熱釋電傳感器用光刻膠和15度入射角蝕酸鋰蝕刻。
左:標準光刻膠面膜,邊緣鋒利。
右:優化后的光刻膠邊緣光滑,提高了傳感器的電合性能.
磁記憶(MRAM)和傳感器的結構化
金屬在MEMS生產中的軋制(非洲、俄羅斯、美國、…)
不同金屬和介質材料多層軋制
復合半導體的化學輔助離子束蝕刻(CAAS,GAN,INP,…)
生產三維光電微結構
離子束平滑用于減小微細度
反射離子束蝕刻用于光光柵模式傳輸(sio2)
申請表：
地面浮雕光柵 電子設備和電子設備
磁多層 for tunnel-magneto-resistance (TMR) sensors
制造超薄鈦酸鋰 紅外傳感器
逆向工程 集成電路芯片設備
原則：
圓形離子束源在惰性或活性氣體的一定角度下蝕刻整個襯底區域
技術：
離子束蝕刻/離子束研磨
使用惰性氣體離子的準直束結構或材料去除。
反應離子束蝕刻
將活性氣體引入離子束源中,用于表面的活性蝕刻。
化學輔助離子束蝕刻
使用活性氣體獨立于離子束進行表面的活性蝕刻。
底板尺寸(最大) | 150毫米口徑。 |
基座 | 水冷、氦背面冷卻接觸,襯底旋轉1-20轉,可在0-165°每0.1°的位置旋轉 |
離子束源 | 190毫米循環微波ECR源(MW218-E) |
中和器 | 三重等離子橋中和器(N-3DC) |
堿壓 | < 5 x 10 -7 馬巴 |
系統尺寸(WxDxH) | 1.90米x1.80米x1.75米(無電架) |
配置 | 單室,可選的單襯底負載鎖定,可選的OSS或SimS端點檢測 |
軟件接口 | SECS II / GEM, OPC |
典型清除率 | 高級官員 2 30納米/分鐘 |
均勻性變異 | ≤ 3 % (σ/mean) |
2、Scia Moll200
大規模生產不超過200毫米的晶圓的系統
離子束蝕刻
反應離子束蝕刻
化學輔助離子束蝕刻
咨詢電話：13522079385
全表面離子束蝕刻200mm晶圓
… 200 是設計用于結構復雜的多層各種材料。為了精確的工藝控制,可以配備不同的端點檢測系統.該系統具有完全活性氣體兼容性,使反應蝕刻過程具有更高的選擇性和速率。該靈活設計的科學磨機200使其適應作為單一的基板版本,以及在高產量的生產集群布局最多三個加工室和兩個卡式負載鎖。
特點和益處
可傾斜和可旋轉襯底架的蝕刻角調整
無塑造器的優良均勻性
活性氣體的選擇性和速率提高
采用精確的西姆斯或光學端點檢測進行工藝控制
由于晶圓冷卻良好,用光刻膠面罩加工晶圓
可變集群布局全自動磁帶處理,包括SESS/GEM通信
應用程序
使用Sims光譜法對旋轉式傳感器的層棧進行蝕刻,可以確定層的變化邊界,從而精確地定義角度和蝕刻停止點的變化。左邊:層棧。右:西姆斯材料檢測。
磁記憶(MRAM)和傳感器的結構化
金屬在MEMS生產中的軋制(非洲、俄羅斯、美國、…)
不同金屬和介質材料多層軋制
復合半導體的化學輔助離子束蝕刻(CAAS,GAN,INP,…)
生產三維光電微結構
離子束平滑用于減小微細度
反射離子束蝕刻用于光光柵的模式傳輸 2 )
申請表
地面浮雕光柵 電子設備和電子設備
磁多層 for tunnel-magneto-resistance (TMR) sensors
制造超薄鈦酸鋰 紅外傳感器
逆向工程 集成電路芯片設備
原則
圓形離子束源在惰性或活性氣體的一定角度下蝕刻整個襯底區域
技術
離子束蝕刻/離子束研磨
使用惰性氣體離子的準直束結構或材料去除。
反應離子束蝕刻
將活性氣體引入離子束源中,用于表面的活性蝕刻。
化學輔助離子束蝕刻
使用活性氣體獨立于離子束進行表面的活性蝕刻。
底板尺寸(最大) | 200毫米口徑。 |
基座 | 水冷、氦背面冷卻接觸,襯底旋轉1-20轉,可在0-170度每0.1度的位置上傾斜 |
離子束源 | 350毫米循環射頻源(RF350-E) |
中和器 | 射頻等離子體橋中和劑 |
產量 | 12 Wafer/h (100 nm SiO 2 200mm晶圓片) |
堿壓 | < 5 x 10 -7 馬巴 |
系統尺寸(WxDxH) | 3個機房和盒式磁帶裝卸(沒有電器架和泵) |
配置 | 單室,可選的單基板負載鎖定或磁帶處理,最多可有3個加工室和磁帶處理的集群系統,可選的操作系統或基于模擬的終端檢測 |
軟件接口 | SECS II / GEM, OPC |
典型清除率 | Cu: 60 nm/min, Pt: 35 nm/min, W: 18 nm/min, SiO 2 : 20 nm/min (inert), SiO 2 : 40 - 60 nm/min (reactive) |
均勻性變異 | ≤ 1 % (σ/mean) |
3、Scia Moll300
300mm以下晶圓的全表面蝕刻系統
離子束蝕刻
反應離子束蝕刻
化學輔助離子束蝕刻
300mm晶圓上復雜多層結構的構建
… 300 是為?離子束蝕刻 有300毫米直徑的襯底材料。不同的端點檢測系統可以實現精確的過程控制,而且系統的全反應氣體兼容性能夠提高選擇性和速率的反應蝕刻過程。本系統設計靈活,既可用于帶卡式裝載的大批量生產,又可用于單基板負載鎖定的小型生產。
特點和益處：
可傾斜和可旋轉襯底架的蝕刻角調整
無塑造器的優良均勻性
活性氣體的選擇性和速率提高
采用精確的西姆斯或光學端點檢測進行工藝控制
由于晶圓冷卻良好,用光刻膠面罩加工晶圓
可變集群布局全自動磁帶處理,包括SESS/GEM通信
應用程序
斜面浮雕光柵(SRG)作為增強現實光耦合器(AR)的反應離子束蝕刻。左邊:離子束在不同入射角下蝕刻。右:從原理和掃描電鏡結果看蝕刻石英光柵。
磁記憶(MRAM)和傳感器的結構化
金屬在MEMS生產中的軋制(非洲、俄羅斯、美國、…)
不同金屬和介質材料多層軋制
復合半導體的化學輔助離子束蝕刻(CAAS,GAN,INP,…)
生產三維光電微結構
離子束平滑用于減小微細度
反射離子束蝕刻用于光光柵模式傳輸(sio2)
申請表：
地面浮雕光柵 電子設備和電子設備
磁多層 for tunnel-magneto-resistance (TMR) sensors
制造超薄鈦酸鋰 紅外傳感器
逆向工程 集成電路芯片設備
原則：
圓形離子束源在惰性或活性氣體的一定角度下蝕刻整個襯底區域
技術：
離子束蝕刻/離子束研磨
使用惰性氣體離子的準直束結構或材料去除。
反應離子束蝕刻
將活性氣體引入離子束源中,用于表面的活性蝕刻。
化學輔助離子束蝕刻
使用活性氣體獨立于離子束進行表面的活性蝕刻。
底板尺寸(最大) | 300毫米口徑。 |
基座 | 水冷、氦背面冷卻接觸,襯底旋轉1-20轉,可在0-170度每0.1度的位置上傾斜 |
離子束源 | 450毫米循環射頻源(RF450-E) |
中和器 | 射頻等離子體橋中和劑 |
產量 | 12 Wafer/h (100 nm SiO 2 ) |
堿壓 | < 5 x 10 -7 馬巴 |
系統尺寸(WxDxH) | 單室,單襯底負載鎖定(沒有電架和水泵),2.70米x1.50米x2.00米 |
配置 | 單室,可選擇的單襯底負載鎖定或磁帶處理, |
軟件接口 | SECS II / GEM, OPC |
典型清除率 | Cu: 60 nm/min, Pt: 35 nm/min, W: 18 nm/min, SiO 2 : 20 nm/min (inert), SiO 2 : 40 - 60 nm/min (reactive) |
均勻性變異 | ≤ 2 % (σ/mean) |
